Memoria Ram Kingston 4GB DDR3 1333 MHz UDIMM

DESCRIPCIÓN

Este documento describe el 512M x 64-bit (4GB) de ValueRAM DDR3-1333 CL9 SDRAM (DRAM síncrona), memoria 1Rx8 módulo, basado en ocho componentes FBGA DDR3-1333 de 512 M x 8 bits. El SPD está programado para la latencia estándar JEDEC Tiempo DDR3-1333 de 9-9-9 a 1.5V. Este DIMM de 240 pines utiliza dedos de contacto de oro. Las especificaciones eléctricas y mecánicas son las siguientes:

CARACTERISTICAS

• Fuente de alimentación estándar JEDEC de 1,5 V (1,425 V ~ 1,575 V)

• VDDQ = 1,5 V (1,425 V ~ 1,575 V)

• 667MHz fCK para 1333Mb / seg / pin

• 8 bancos internos independientes

• Latencia CAS programable: 9, 8, 7, 6

• Latencia aditiva programable: reloj 0, CL - 2 o CL - 1

• Latencia de escritura CAS programable (CWL) = 7 (DDR3-1333)

• Precarga de 8 bits

• Longitud de ráfaga: 8 (intercalado sin ningún límite, secuencial con dirección de inicio "000" solamente), 4 con tCCD = 4 que no

• Estroboscópico de datos diferenciales bidireccionales

• Autocalibración interna: Autocalibración interna a través de ZQ pin (RZQ: 240 ohmios ± 1%)

• En la terminación del troquel usando el pin ODT

• Período de actualización promedio 7.8us por debajo de TCASE 85 ° C, 3.9us a 85 ° C <TCASE <95 °C

• Restablecimiento asincrónico

• PCB: altura 0,740 "(18,75 mm) o 1,180" (30,00 mm)

ESPECIFICACIONES

CL (IDD):9 ciclos

Tiempo de ciclo de fila (tRCmin) 49.125ns (min.)

Actualizar a Activo / Actualizar Tiempo de comando (tRFCmin): 260ns (min.)

Tiempo activo de fila (tRASmin) 36ns (min.)

Potencia operativa máxima TBD W *

Clasificación UL 94 V - 0

Temperatura de funcionamiento 0°C hasta 85°C

Temperatura de almacenamiento: -55°C a + 100° C